全球微头条丨“AI革命”存储篇：算力拉动 拐点提前

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ChatGPT 带动算力需求飙升，存算侧带动硬件全面受益。据NVIDIA 估算，训练GPT-3，假设单个机器的显存/内存容量足够的前提下，8 张V100显卡训练时长预计达36 年，1024 张80GB A100 显卡完整训练GPT-3 的时长为1 个月，算力侧硬件需求全面增长。此外，大模型训练需要海量数据传输，由此将对以服务器交换机为代表的数据传输设备产生更多需求，相关高算力芯片需求量将相应增长。整体来看，ChatGPT 将从算力侧和数据传输端全面带动显卡及高算力芯片需求，进而对算力芯片、应用端、存算一体、先进封装、封装设备、IC 载板等多个领域硬件产生增量需求。

国产化存储产业链迎来布局时刻。1）AI 服务器带来存力硬件需求上行：

根据美光数据测算，人工智能服务器中DRAM 内容是普通服务器的8 倍，NAND 内容将是普通服务器的3 倍，而大容量存储器将是算力数据迭代运算的重要基础。2）库存边际改善，价格修复在即：美光2023 年Q2 会计期末库存约为81.29 亿美金，同比下降2.75%，有望持续改善。AI 服务器有望带动存储行业景气度及需求快速提升，加速存储行业库存进一步清出。根据TrendForce 数据，美光及SK 海力士在内的部分供应商已启动DRAM 减产计划，2023 年第二季度DRAM 价格跌幅将收窄至10%到15%。

3）国产化存储产业链迎来布局时刻：国内存储产业链多元化布局，2023年有望完成产品结构快速升级。

存储行业公司市场广阔，行业近期有望触底回升。根据IC Insight 数据，2011 年全球DRAM 市场规模为296 亿美金，而2022 年全球DRAM 市场规模将达758 亿美金，CAGR 达8.9%，其中DDR4 需求疲软之下价格一路下行。根据中金企信统计数据，预计到2025 年全球NAND Flash 市场规模有望达到931.9 亿美元，2021 年至2025 年CAGR 增速7.4%，其中三星依旧占领较大的市场份额，但还未形成绝对的寡头地位。国内储存行业链公司有望持续发展，国产化替代空间广阔。

DRAM & NAND Flash 强周期属性，人工智能需求增长有望带动行业快速修复。DRAM 是存储器第一大产品，占比全球储存市场53%的市场份额。当前以三星、海力士和美光三大家为主。看DRAM 产品迭代，DDR4系当前主流，DDR5 接力入场。NAND Flash 供给端，呈现CR6 市场规模占比约99%，寡头市场持续集中。价格方面，我们认为主流及利基型产品价格2022 年以来下跌跌幅将逐步趋缓。需求端，车规级储存受汽车智能化发展速度加快，AI 等高算力设备推动巨量数据存储或将有望成为新的快速增长点。

人工智能算力及数据量增长，带动存储行业技术迅速发展。1）HBM：截至2021 年，SK 海力士和Rambus 已发布了数据传输速率为5.2Gbps 和8.4Gbps 的HBM3 产品，每个堆叠将提供超过665GB/s 和1075GB/s 的传输速率，有望快速在AI 服务器中替代。2）存算一体：目前存算一体大致分为近存计算（PNM）、存内处理（PIM）、存内计算（CIM）。特斯拉、阿里达摩院、三星等大厂所选择的便是近存计算（PNM），未来技术成熟度或将快速提高，突破算力存力中间壁垒。3）3D NAND 堆叠：3D NAND将成为主流方向，可突破存储容量限制瓶颈。3D NAND 将解决方案从提高制程工艺转变为多层堆叠，解决了2D NAND 在增加容量的同时性能出现下降的问题，实现容量、速度、能效及可靠性等多方位的提升。

风险提示：下游需求不及预期，新品迭代不及预期。

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