注册制新股纵览：慧智微：射频前端芯片实现突破 国产替代下持续发展 天天速讯

(资料图片仅供参考)

本期投资提示：

AHP 得分——剔除流动性溢价因素后，慧智微2.18 分，位于总分的34.0%分位。慧智微将于2023 年4 月26 日询价，并在科创板上市。剔除流动性溢价因素后，我们测算慧智微 AHP 得分为2.18 分，位于科创体系AHP 模型总分34.0%分位，处于下游偏上水平。假设以80%入围率计，中性预期情形下，慧智微网下A、B 两类配售对象的配售比例分别是：0.0398%、0.0342%。

突破国际巨头专利壁垒，具备全面的器件设计能力。公司产品兼容目前国际主流SoC 平台厂商的主要产品系列，可为客户提供全面的射频前端解决方案，形成了完善的产品矩阵。其中，在射频功率放大器领域，公司将绝缘硅引入到功率放大器领域并成功商用，形成了自主的可重构射频前端架构，突破国际巨头的专利壁垒，并将其拓展到LNA、IPD滤波器等领域，目前相关产品累计出货已经超过1 亿颗。同时，公司以PA 芯片为核心，已经衍生出LNA、开关、控制及系统级封装等方面的设计能力，能覆盖射频前端模组中除LTCC、SAW、BAW等滤波器或多工器之外的主要核心器件，各器件性能表现优异，有利于保障高集成度模组的整体性能不存在明显短板。

自研可重构射频前端平台，积累多项高集成度相关技术。随着通信制式不断升级导致射频前端器件数量日益增长，射频前端的集成度要求越来越高。公司前瞻性提出了拥有自主知识产权的AgiPAM 可重构射频前端平台，采用基于“绝缘硅（SOI）+砷化镓（GaAs）”

两种材料体系的可重构射频前端技术路线，通过数字定义可配置射频通路的技术方案，大幅提升射频前端的集成度，相关技术处于国际领先水平。此外，公司的“多功能模块的低互扰高集成技术”可以实现将多个绝缘硅材料的晶圆进行单芯片集成，大幅减少了射频前端的器件数量，高集成度相关的技术积累将支撑公司持续发展。

国产替代持续带动本土厂商发展，实现战略卡位助力拓展。根据预测，全球移动设备的射频前端市场规模2019 年到2026 年的年均复合增长率约为8.3%，高于半导体行业的平均增长速度。随着本土智能手机品牌的崛起和本土制造能力的提升，推动国产射频前端公司的产品性能持续优化、收入规模持续提升。与国内厂商相比，公司在4GPA 模组、5G 射频前端模组领域均具备较强的竞争力，其中在5GPA 模组领域已初步具备国际竞争力。目前，公司产品应用于三星、OPPO、vivo、荣耀等国内外智能手机品牌机型，并进入华勤通讯等一线移动终端设备ODM 厂商和移远通信、广和通、日海智能等头部无线通信模组厂商。公司在5G 市场的良好表现大幅提升了市场知名度，实现了战略卡位，有利于公司在5G 商用化渗透率提升进程中的市场拓展。

目前仍处于亏损状态，20-22 年毛利率呈增长趋势但不及可比公司，而研发支出占比领先。2020-2022 年，公司营收、归母净利润规模不及可比公司，营收复合增速为31.17%，高于艾为电子，目前仍处于亏损状态；同期公司综合毛利率呈增长趋势，但低于可比公司平均，而研发支出占营收比重领先可比公司。

风险提示：慧智微需警惕收入波动以及经营业绩下滑；公司业务规模、产品布局与技术水平和行业龙头存在较大差距；主要产品客户验证和市场开拓失败或者进度不及预期；客户集中度较高及单一客户毛利贡献占比较大等风险。

关键词：