半导体行业重大事项点评：从海力士财报看存储复苏周期与HBM前景

SK 海力士于7 月26 日发布FY23Q2 业绩，公司单季度营收环比大幅改善，DRAM/NAND 位元出货量环比大增；高密度DDR5、高性能LPDDR5 和HBM等高端产品销量超指引。HBM 方面，公司积极推广HBM3E，计划将1bnm 应用于HBM3E 生产，公司预计24H2 实现量产和供应。AI 服务器方面，短期来看，公司预计Q3 AI 服务器需求将持续增长；中长期来看，公司预计AI 市场规模CAGR 有望达30%左右，公司持续看好AI 服务器对高端存储产品（HBM等）需求的增长。海外大厂稼动控制之下存储供需改善，我们预计主流存储价格23H2 有望持续回暖，看好产业链公司23H2 业绩底部复苏，看好AI 服务器市场爆发为HBM 等高端存储产品带来的机遇，建议关注相关环节投资机会。

(资料图片仅供参考)

FY23Q2 营收环比大幅改善，DRAM ASP 环比上涨。SK 海力士Q2 实现营收-47% YoY、+44% QoQ 至7.31 万亿韩元；毛利率为-16%， QoQ+16pcts；23Q2净亏损2.99 万亿韩元，较Q1 的2.59 万亿韩元有所扩大。库存方面，FY23Q2库存环比减少4.4%至16.42 万亿韩元，同时存货估值损失因DRAM 价格上涨而减少。营收结构来看，Q2 DRAM 营收占比62%（位元出货量+30% QoQ，ASP+high-single% QoQ），NAND 营收占比30%（位元出货量+50% QoQ，ASP -10%QoQ）。DRAM ASP 环比增长受益于应用于AI 服务器的高端产品的销量增长。

FY23Q3 展望，公司预计DRAM 需求（按Bit）环比增长10-15%(low-to-midteen)，NAND 需求预计环比持平。对于DRAM，公司计划持续支持高密度&HBM产品需求，扩大高性能DDR5 和高密度LPDDR5 销售，准备1bnm 大规模量产。

对于NAND，公司将扩大176 层SSD 的销售，准备为238 层NAND 大规模量产。公司预计FY23 DDR5 128GB+高密度服务器模组+HBM 产品销售额将同比增长超2 倍。

FY2023 资本开支计划同比削减超50%，决定对NAND 进一步减产5-10%。公司FY2022 资本开支约19 万亿韩元，此前预计FY2023 资本开支将同比削减超50%，现公司维持该计划，但将在有限的资本开支预算内确保高密度DDR5/HBM的生产能力。公司表示FY23Q2 内存需求有所恢复，但行业整体库存仍高，因此决定对NAND 进一步减产5-10%。

HBM 持续引领市场，公司预计24H2 大规模供应HBM3E。公司目前能够提供行业最高规格的12 层堆叠24GB HBM3 产品，并预计将在24H1 将1bnm 应用于HBM3E（以及LPDDR5T），预计24H2 将大规模量产并供应HBM3E，并计划在2026 年升级至HBM4。

行业景气展望：需求端看好移动终端、AI 服务器高端产品，行业景气有望逐步回暖，公司预计23 年DRAM/NAND 需求（按Bit）分别增长5-10%(mid-to-highsingle)和约15%(mid teen)；其中：1）PC：渠道库存量下降，产品出货量将环比增长，公司预计23H2 商用和游戏产品将带动内存需求增长。2）移动端：

需求复苏仍相对乏力，公司预计23H2 受益新产品推出和低内存价格需求有望改善；旗舰产品对高密度/高性能的LPDDR5 需求增加。3）服务器：CY23 整体由于云服务商削减IT 开支、调整库存导致端需求疲软，但FY23Q2 起，AI 市场增长带动高端服务器产品需求，高规格DDR5/HBM 需求持续增加；公司预计中长期AI 市场规模CAGR 达30%左右，带动服务器需求CAGR 达高个位数(highsingle)。

存储价格底部明确，高端产品价格有望率先回暖，关注国内厂商在HBM 领域的发展机遇。我们认为，随供给侧海外原厂稼动率调整效果在23H2 逐步显现，并且随品牌厂商新产品发布和消费传统旺季到来，下游需求有望逐步回暖，存储供需关系将持续改善，带动整体存储价格温和回升，高端存储价格有望率先开启涨势。根据Bloomberg，6月DRAM价格延续下跌趋势但跌幅收窄至0.98%-3.85%，NAND Flash 价格趋稳，跌幅为0.00%-1.42%；23Q2 来看，根据TrendForce，23Q2 DRAM 跌幅收缩至13%-18%，（PC 及Server DRAM 跌幅为15%-20%；Mobile DRAM 跌幅为13%-18%），NAND Flash 价格跌幅为10-15%。HBM 方面，受制于高技术壁垒，目前全球仅SK 海力士、三星、美光能够稳定供应（根据TrendForce，2022 年三家份额分别为50%/40%/10%），国内企业尚处于技术储备期。我们认为，HBM 在AI 服务器需求驱动下将快速放量，国内厂商有望从率先从封测端取得进展，逐步导入模组端，长期受益于AI 发展浪潮。

风险因素：后续海外国家对华半导体技术限制超预期；先进技术创新不及预期；国际产业环境变化和贸易摩擦加剧；下游需求不及预期；厂商产能控制不及预期，行业竞争加剧。

投资策略：行业周期角度，海外大厂稼动控制之下存储供需改善，我们预计主流存储价格23H2 有望持续回暖，看好产业链公司23H2 业绩底部复苏；细分市场角度，看好AI 服务器市场爆发为HBM 等高端存储产品带来的机遇，建议关注：

1）存储模组：深科技、江波龙、佰维存储、德明利、协创数据、朗科科技等；2）存储配套芯片：澜起科技、聚辰股份等； 3）存储芯片设计：东芯股份、兆易创新、北京君正、普冉股份、恒烁股份等。

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