电力设备：N型硅片要求提升 拉晶技术迎来升级

近日，连城数控、晶盛机电等领先拉晶设备企业先后发布新品。连城数控发布KX420PV 单晶炉，晶盛机电发布第五代单晶炉，共同特点是引入了磁场模块，可有效降低硅片氧含量、提升硅片品质。

主要观点

(资料图)

N 型技术对于硅片质量要求更高

核心要求在于碳氧含量更低、少子寿命更高。目前N型电池扩产的主流技术路线是TOPCon。TOPCon为高温工艺，会激发氧原子，硅片中的氧沉淀形成氧环、缺陷放大，产生同心圆、暗片等问题，对电池效率产生较大影响。因此，随着N型渗透率的提升，硅片质量及生产技术需要新的升级。

现有技术臻于成熟，引入磁场是可行方向

硅片中氧和杂质的来源包括硅熔体与坩埚反应、硅料中自带氧和杂质等。因此拉晶过程中对于硅熔体对流的控制较为重要。目前主流RCZ技术在热场、加热器、炉体设计及拉晶工艺等方面已臻于成熟。新技术方面，目前较为可行的方向是在拉晶炉中加入磁场模块（MCZ技术），通过引入磁场，可有效抑制硅熔体热对流，降低氧的形成和传输，从而降低晶体中氧含量。另外，磁场在抑制单晶中生长条纹、提高杂质径向分布均匀性等方面也十分有效，可以全面提升硅片品质。

MCZ技术在半导体中应用较为普遍，根据新思界，目前全球范围内MCZ是生产300mm及以上尺寸半导体级单晶硅的主要方法。

MCZ 技术成本更高，未来有下降空间

磁场包括永磁场、勾型磁场、水平磁场、超导磁场等。从半导体发展路径看，超导磁场相对较为主流。采用超导磁体提供5000Gs稳定磁场的MCZ技术是目前国际上生产300mm以上大尺寸半导体级单晶硅的最主要方法。从成本看，MCZ需要单晶炉增加磁场模块，并在生产过程中带来额外磁场电力消耗，因此整体生产成本高于RCZ。随着技术进步及产业化推进，我们认为MCZ单晶炉成本及电力消耗存在较大下降空间，从而实现成本上的追赶。

投资建议

我们认为MCZ技术可以有效提升硅片品质，有望逐步推广应用，带来拉晶设备和相应零部件新的投资机会，同时领先硅片企业有望在技术进步中获得更大的竞争优势，享受技术红利。

硅片：推荐高测股份、双良节能，建议关注TCL中环、隆基绿能。

设备：建议关注晶盛机电、连城数控、奥特维。

零部件：建议关注西部超导、辰光医疗。

风险提示

技术进展不计预期，成本下降不及预期。

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